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參數資料
| 型號： | FQI6N40 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 400V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 400 V, 1.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 761K |
| 代理商： | FQI6N40 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB6N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQI6N45 | 450V N-Channel MOSFET |
| FQB6N45 | 450V N-Channel MOSFET |
| FQI6N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQB6N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI6N40C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FQI6N40CTU | 功能描述:MOSFET N-CH/400 /6A/CFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6N40TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6N45 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:450V N-Channel MOSFET |
| FQI6N45TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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