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參數資料
| 型號： | FQI6N90 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.8 A, 900 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | FQI6N90 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 450V
V
DS
= 180V
V
DS
= 720V
※
Note : I
D
= 5.8A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.0 V
※
Notes :
μ
s Pulse Test
1. 250
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB6N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQI6P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQB6P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQI70N08 | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強型MOSFET) |
| FQI7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI6N90TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI6P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQI6P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI70N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI70N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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