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參數資料
| 型號： | FQI7N10L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | 7.3 A, 100 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | FQI7N10L |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, June 2000
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI7P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQB7P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQI85N06 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI7N10LTU | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI7N10TU | 功能描述:MOSFET N-CH/100V/7.3A/0.35OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI7N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQI7N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI7N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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