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參數資料
| 型號： | FQI8N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | FQI8N60C |
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB8P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQB90N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQB95N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQB9N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQB9N15 | 150V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI8N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI8P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQI8P10TU | 功能描述:MOSFET P-CH/100V/8A/0.53OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI90N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI90N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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