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參數(shù)資料

型號：	FQI9N50
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類：	JFETs
英文描述：	64 Megabit, 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory
中文描述：	9 A, 500 V, 0.73 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝：	I2PAK-3
文件頁數(shù)：	9/9頁
文件大小：	718K
代理商：	FQI9N50

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相關(guān)PDF資料	PDF描述
FQB9N50	500V N-Channel MOSFET
FQD10N20C	200V N-Channel MOSFET
FQU10N20C	200V N-Channel MOSFET
FQD10N20	CAP 3900PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQU10N20	CAP 6800PF 50V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22

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FQI9N50C	制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FQI9N50CTU	功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N50TU	功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9P25	制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQI9P25TU	功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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