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參數(shù)資料
| 型號： | FQNL1N50B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.27 A, 500 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-92L, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 620K |
| 代理商： | FQNL1N50B |
Rev. A, March 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
4.90
±
0.20
0.50
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
0.45
±
0.10
0
±
0
0.80
±
0.10
0.70MAX.
1.00MAX.
2.54 TYP
8
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
3
±
0
3.90
±
0.20
1
±
0
TO-92L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQNL2N50B | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQNL1N50BBU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQNL1N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQNL1N50BTA | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQNL2N50B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQNL2N50BBU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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