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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQNL2N50B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.35 A, 500 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-92L, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 598K |
| 代理商： | FQNL2N50B |
Rev. A, March 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
25
℃
150
℃
※
Note :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Note
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
GS
V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
※
Note : I
D
= 2.1 A
V
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
3
6
9
12
15
18
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQP10N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP10N50CF | 500V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQNL2N50BBU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQNL2N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQNL2N50BTA | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP10N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP10N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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