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參數資料
| 型號： | FQP15P12 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 120V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 120 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 852K |
| 代理商： | FQP15P12 |
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF16N15 | 150V N CHANNEL MOSFET |
| FQPF16N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQPF17N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF17N08 | GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 100 FT, NON BOOT, WHITE |
| FQPF17P10 | 100V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP16N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP16N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP16N25C | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP16N25C_F105 | 制造商:Fairchild 功能描述:250V/16A N-CH MOSFET C-SERIES |
| FQP16N25C_Q | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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