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參數資料
型號: FQP2N50
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.1 A, 500 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 717K
代理商: FQP2N50
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PDF描述
FQP2N60C 600V N-Channel MOSFET
FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET
FQP2N60 600V N-Channel MOSFET
FQP2N80 800V N-Channel MOSFET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FQP2N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N60C_Q 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N80 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2N80 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
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