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參數(shù)資料
型號: FQP2N60
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 歐姆 @ 1.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 64W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件
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