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參數資料
型號: FQP30N06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel MOSFET
中文描述: 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 660K
代理商: FQP30N06
Rev. A2, March 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
D
= 30A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
175
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
I
D
,
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
0
10
1
10
2
175
25
-55
Notes :
1. V
DS
= 25V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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