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參數資料
型號: FQP3N25
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.8 A, 250 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 612K
代理商: FQP3N25
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, November 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQP3N30 300V N-Channel MOSFET
FQP3N40 400V N-Channel MOSFET
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FQPF3N50C 500V N-Channel MOSFET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FQP3N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP3N50C 功能描述:MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP3N50C_F080 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQP3N50CTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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