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參數資料
| 型號： | FQP3N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 569K |
| 代理商： | FQP3N60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
V
DS
= 120V
Note : I
D
= 3.0 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
25
150
Notes :
1. V
= 0V
2. 250 s Pulse Test
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Notes :
1. V
= 50V
2. 250 s Pulse Test
-55
150
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP3N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQPF3N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQP3N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQP3N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQP3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP3N60C | 功能描述:MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP3N60TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQP3N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP3N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP3N80C_Q | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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