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參數資料

型號：	FQP4N90C
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類：	JFETs
英文描述：	900V N-Channel MOSFET
中文描述：	4 A, 900 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝：	TO-220, 3 PIN
文件頁數：	7/10頁
文件大小：	899K
代理商：	FQP4N90C

Rev. A, June 2003

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms

DUT

Driver

as DUT

controlled by pulse period

10V

( Driver )

( DUT )

Forward Voltage Drop

, Body Diode Forward Current

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

di/dt

D =

Gate Pulse Period

-Gate Pulse Width

Same Type

dv/dt controlled by R

Body Diode

相關代理商/技術參數	參數描述
FQP4P25	功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP4P40	功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP50N06	功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP50N06	制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP50N06L	功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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