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參數(shù)資料
型號(hào): FQP65N06
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 65A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 32.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件
其它名稱: FQP65N06-ND
FQP65N06FS
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