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參數(shù)資料
| 型號： | FQP6N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V n-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 500 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 745K |
| 代理商： | FQP6N50 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP6N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQP6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
| FQP6N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQPF6N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQP6N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQP6N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP6N50C | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/ .5A/1.3OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP6N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP6N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP6N60C_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 600V 5.5A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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