| 型號： |
FQP6N80C |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： |
1/10頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220 |
| 產品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
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| 產品變化通告： |
Design/Process Change Notification 26/June/2007
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| 標準包裝： |
50 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
800V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： |
5.5A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
2.5 歐姆 @ 2.75A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
30nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1310pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
158W
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| 安裝類型： |
通孔
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| 封裝/外殼： |
TO-220-3
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| 供應商設備封裝： |
TO-220
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| 包裝： |
管件
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