欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQP85N06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel MOSFET
中文描述: 85 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 647K
代理商: FQP85N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQP8N25 250V N-Channel MOSFET
FQP8N60C 600V N-Channel MOSFET
FQPF8N60C 12 AMP MINIATURE POWER RELAY
FQP8N80C 800V N-Channel MOSFET
FQPF8N80C 800V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQP85N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP85N06TU 制造商:Fairchild 功能描述:60V/85A N-CH MOSFET
FQP8N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQP8N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP8N60C_Q 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 黄大仙区| 藁城市| 莲花县| 琼结县| 长寿区| 申扎县| 鄂伦春自治旗| 惠安县| 安阳县| 钦州市| 宣恩县| 麻城市| 清镇市| 莲花县| 江油市| 乐业县| 佛学| 霍林郭勒市| 龙江县| 瓦房店市| 浪卡子县| 天镇县| 旅游| 鄂托克前旗| 乳山市| 旬阳县| 二连浩特市| 廉江市| 资兴市| 克什克腾旗| 海淀区| 威远县| 灵丘县| 衡阳市| 罗江县| 灌南县| 台东县| 平陆县| 介休市| 沿河| 黄大仙区|