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參數資料
| 型號： | FQP8N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | FQP8N60C |
Rev. B, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
(t) = 0.85
2. Duty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
(t) = 2.6
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, Square W ave P ulse D uration [sec]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP8N60C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF8N60C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF8N60C | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FQP8N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N80C | 800V N-Channel MOSFET |
| FQP8N90C | 900V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N90C | 900V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP8N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP8N80C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQP8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP8P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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