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參數資料
| 型號： | FQP8P10 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 8 A, 100 V, 0.53 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 662K |
| 代理商： | FQP8P10 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, August 2002
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
175
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
V
DS
= -20V
※
Note : I
D
= -8.0 A
-
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP90N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQP90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQPF90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQP95N03L | 30V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP8P10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):410mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:65W ;RoHS Compliant: No |
| FQP90N08 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP90N10V2 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP95N03L | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP9N08 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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