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參數資料
| 型號： | FQP90N10V2 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 90 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 921K |
| 代理商： | FQP90N10V2 |
Rev. A1, April 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 1.8
°
C/W M ax.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
1 0
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1 0
-1
1 0
0
10
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
N o tes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0 .6
°
C /W M ax.
2. D uty F actor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
single pu lse
D =0 .5
0.02
0.01
0.2
0 .05
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W ave P ulse D uration [se c]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP90N10V2
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF90N10V2
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF90N10V2 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQP95N03L | 30V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP9N08 | 80V N-Channel MOSFET |
| FQP9N15 | 150V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP95N03L | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP9N08 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP9N08L | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP9N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP9N25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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