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參數資料
| 型號： | FQPF11N50CF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 1271K |
| 代理商： | FQPF11N50CF |
5
www.fairchildsemi.com
FQP11N50CF/FQPF11N50CF Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP11N50CF
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF11N50CF
1 0
-5
10
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
10
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
* N o tes :
1 . Z
θ
JC
(t) = 0 .64
2 . D uty F a ctor, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
o
C /W M a x.
single pu lse
D = 0.5
0.02
0.0 1
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W a ve P u lse D ura tion [sec]
t
1
P
DM
t
2
1 0
-5
10
-4
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-3
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-2
1 0
-1
10
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
* N o te s :
1 . Z
θ
J C
(t) = 2 .5 8
2 . D u ty F a cto r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
o
C /W M a x .
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .2
0 .0 5
0 .1
0 .0 1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [s e c ]
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP11N50CF | 500V N-Channel MOSFET |
| FQPF12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF12P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQPF12N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF11P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N20 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N20L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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