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參數(shù)資料
| 型號： | FQPF12N20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 8.2 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 631K |
| 代理商： | FQPF12N20 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev.
B
, May 2000
0
5
10
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
V
DS
= -160V
※
Note : I
D
= -11.5 A
-
G
,
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
400
800
1200
1600
2000
2400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF12N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQPF12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQPF13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF13N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQPF12N20L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 600V 12A TO-220F |
| FQPF12N60C_G | 制造商:Fairchild 功能描述:CFET 600V |
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