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參數資料
| 型號： | FQPF12N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | FQP12N60C/FQPF12N60C |
| 中文描述： | 12 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 873K |
| 代理商： | FQPF12N60C |
Rev. B, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP13N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP13N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQP13N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQP13N06 | Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:50; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Leaded Process Compatible:No; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes |
| FQP13N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF12N60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 600V 12A TO-220F |
| FQPF12N60C_G | 制造商:Fairchild 功能描述:CFET 600V |
| FQPF12N60CT | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/12A QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12N60T | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF12P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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