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參數(shù)資料
型號: FQPF12P20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V P-Channel MOSFET
中文描述: 7.3 A, 200 V, 0.47 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 631K
代理商: FQPF12P20
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev.
B
, May 2000
0
5
10
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
V
DS
= -160V
Note : I
D
= -11.5 A
-
G
,
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
25
-55
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : -15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
400
800
1200
1600
2000
2400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Note : T
J
= 25
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FQPF12N20 200V N-Channel MOSFET
FQPF12N60 600V N-Channel MOSFET
FQPF12P10 100V P-Channel MOSFET
FQPF13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQPF12P20YDTU 功能描述:MOSFET P-Ch 200V 7.3A 0.47Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF12P20YDTUAS001 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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FQPF13N06L 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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