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參數資料
| 型號： | FQPF13N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9.4 A, 60 V, 0.135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 883K |
| 代理商： | FQPF13N06 |
Rev. B, September 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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0
1
(
(
(
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(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF13N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQPF14N15 | 150V N CHANNEL MOSFET |
| FQPF14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQPF15P12 | 120V P-Channel MOSFET |
| FQP15P12 | 120V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF13N06L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N50C | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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