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參數資料
| 型號： | FQPF13N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 12.5 A, 500 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 883K |
| 代理商： | FQPF13N50 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, September 2002
F
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
100 ms
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 6.7 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
D
= = 0 V
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP13N50
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF13N50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF13N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQPF13N10 | 100V N-Channel MOSFET |
| FQPF14N15 | 150V N CHANNEL MOSFET |
| FQPF14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQPF15P12 | 120V P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF13N50C | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N50C_F105 | 制造商:Fairchild 功能描述:500V/13A N-CH MOSFET C-SERIES |
| FQPF13N50C_G | 制造商:Fairchild 功能描述:500V/13A N-CH MOSFET C-SERIES |
| FQPF13N50CF | 功能描述:MOSFET HIGH_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF13N50CSDTU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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