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參數(shù)資料
型號: FQPF19N10
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 13.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 6.8A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 780pF @ 25V
功率 - 最大: 38W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220F
包裝: 管件
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