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參數資料
| 型號： | FQPF19N20C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 19 A, 200 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 1144K |
| 代理商： | FQPF19N20C |
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
10
-2
10
-1
10
0
N ote s :
1 . Z
θ
JC
(t) = 0.90
2 . D uty F actor, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M a x.
℃
single pulse
D = 0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u are W a ve P u lse D u ration [se c]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
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0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1. Z
θ
JC
(t) = 2.89
2. D uty F actor, D = t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
※
/W M ax.
℃
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S q uare W ave P ulse D uration [sec]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP19N20C
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF19N20C
t
1
P
DM
t
2
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP19N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQPF19N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF1N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FQPF1P50 | 500V P-Channel MOSFET |
| FQPF1N60 | 600V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF19N20CYDTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Chan Advance QFET 174 C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF19N20L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF19N20T | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF1N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF1N60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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