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參數資料
| 型號： | FQPF1N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.9 A, 600 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 733K |
| 代理商： | FQPF1N60 |
(7.00)
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MAX1.47
(30
°
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#1
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2.54
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0.80
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0.10
9.40
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3.18
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2.54TYP
[2.54
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2.54TYP
[2.54
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]
0.50
+0.10
–0.05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF20N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQPF20N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQPF22N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQPF22P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQPF27P06 | Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:258uH; Series:CMS; DC Resistance Max:0.027ohm; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Ferrite; Current, It rms:2.45A; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Inductance:2.2uH RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF1N60T | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/1A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF1P50 | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF20N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF20N06L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF22N30 | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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