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參數(shù)資料
型號: FQPF32N20C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 28 A, 200 V, 0.082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大小: 1184K
代理商: FQPF32N20C
Rev. A, March 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
Note : I
D
= 32.0A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
-1
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP33N10 100V N-Channel MOSFET
FQP34N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP34N20 LED 5MM VERT SUP CLEAR RED PCMNT
FQP3N25 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF33N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF33N10L 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF34N20 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF34N20 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF34N20L 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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