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參數資料
| 型號： | FQPF6N80 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 800V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3.3 A, 800 V, 1.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 770K |
| 代理商： | FQPF6N80 |
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2.54TYP
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2.54TYP
[2.54
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]
0.50
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–0.05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF6N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF6N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF6N80C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF6N80CT | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF6N80T | 功能描述:MOSFET N-CH/800V/6A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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