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參數資料
型號: FQPF7N10
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 100V N-Channel MOSFET
中文描述: 5.5 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 547K
代理商: FQPF7N10
F
Rev. A4, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
25
175
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
175
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
Note : I
D
= 7.3 A
V
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
I
D
, Drain Current [A]
9
12
15
18
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Note : T
J
= 25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FQPF7N60 V5 Series Miniature Basic Switch, Single Pole Normally Open Circuitry, 22 A at 250 Vac, Pin Plunger Actuator, 1,00 N [3.53 oz] Maximum, Silver Cadmium Oxide Contacts, Quick Connect Termination, CE, BEAB
FQPF7N80 800V N-Channel MOSFET
FQPF7P20 200V P-Channel MOSFET
FQPF7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF7P06 60V P-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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FQPF7N20 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF7N20L 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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