欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: FQPF7N20
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 4.8 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 547K
代理商: FQPF7N20
F
Rev. A4, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
25
175
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
175
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
Note : I
D
= 7.3 A
V
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
I
D
, Drain Current [A]
9
12
15
18
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Note : T
J
= 25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF7N40 400V N-Channel MOSFET
FQPF7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF85N06 60V N-Channel MOSFET
FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET
FQPF8N60CFT 600V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF7N20L 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF7N30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220F
FQPF7N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF7N60 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF7N65C 功能描述:MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 温泉县| 克什克腾旗| 于田县| 巴青县| 灵璧县| 惠东县| 鹤峰县| 石棉县| 石狮市| 库伦旗| 泸水县| 永州市| 泽州县| 苍溪县| 龙井市| 忻州市| 新宁县| 仁怀市| 蛟河市| 桂平市| 浑源县| 建阳市| 资中县| 临高县| 长沙县| 嘉鱼县| 西林县| 神农架林区| 普安县| 永川市| 色达县| 隆子县| 吴堡县| 金川县| 英德市| 石城县| 磐石市| 民勤县| 庐江县| 大名县| 靖宇县|