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參數資料
| 型號： | FQPF9N25C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 8.8 A, 250 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 1136K |
| 代理商： | FQPF9N25C |
Rev. A, March 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
V
DS
= 200V
Note : I
※
D
= 8.8A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
10
20
30
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
DS
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP9N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQP9N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQP9N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQPF9N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQP9N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQPF9N25CRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQPF9N25CT | 功能描述:MOSFET N-CH/250V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N25CYDTU | 功能描述:MOSFET 250V 8.8A N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N30 | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQPF9N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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