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參數資料
| 型號： | FQT13N06 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 688K |
| 代理商： | FQT13N06 |
Rev. A2, January 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimensions
3.00
±
0.10
7
±
0
0
±
0
0
3
±
0
1
±
0
(
(
(
(
1
±
0
0.70
±
0.10
4.60
±
0.25
6.50
±
0.20
(0.95)
(0.95)
2.30 TYP
0.25
MAX1.80
0
°
~10
°
+0.10
–0.05
0.06
+0.04
–0.02
SOT-223
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT2P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQT3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQT13N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT13N06LTF | 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N60CTF_WS | 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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