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參數資料
| 型號： | FQT13N06L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | FQT13N06L |
F
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
Same Type
dv/dt controlled by R
G
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveform
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT13N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQT2P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQT3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQT13N06LTF | 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
| FQT1N60CTF_WS | 功能描述:MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT1N60CTF-WS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
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