| 型號： |
FQT1N60CTF_WS |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
2/8頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
MOSFET SOT-223 Pkg
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
600V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
200mA
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
11.5 歐姆 @ 100mA，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
6.2nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
170pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
2.1W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-261-4，TO-261AA
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-223-3
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
FQT1N60CTF_WSDKR
|