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參數(shù)資料
| 型號： | FQT3P20 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V P-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 0.67 A, 200 V, 2.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | FQT3P20 |
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
-3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
Charge
V
GS
-10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
-10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
in
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
V
DS
-10V
DUT
R
G
L
I
D
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
BV
DSS
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
t
p
Time
-1
----
--------------------
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT4N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQT5P10 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQT7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQT3P20TF | 功能描述:MOSFET -200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT3P20TF_SB82100 | 功能描述:MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQT4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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