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參數(shù)資料
型號(hào): FQT4N20LTF
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 850mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.35 歐姆 @ 425mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V
功率 - 最大: 2.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223-4
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: FQT4N20LTFDKR
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