| 型號： | FQU10N20CTU |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標準包裝： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫歐 @ 3.9A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | I-Pak |
| 包裝： | 管件 |