- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375892 > FQU12N20L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V LOGIC N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQU12N20L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9 A, 200 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | FQU12N20L |
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQD12N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQU2N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD2N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU12N20LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU12N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU12P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQU12P10TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU13N06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。