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參數(shù)資料
型號(hào): FQU13N06LTU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 70
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 115 毫歐 @ 5.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
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