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參數(shù)資料
型號: FQU1N80TU
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 5,040
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 195pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
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