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參數資料
| 型號： | FQU20N06LE |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 17.2 A, 60 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | FQU20N06LE |
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1. May 2001
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
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0
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±
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6
±
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±
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M
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±
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1.02
±
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2.30
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6.60
±
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(5.34)
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0.76
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(2XR0.25)
0
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(
(
(
(
(
0
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD20N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU20N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD20N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQU20N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQD24N08 | 80V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU20N06LTU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU20N06TU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQU24N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU26N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251 |
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