- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375881 > FQU26N03L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQU26N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 19 A, 30 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 785K |
| 代理商： | FQU26N03L |
! " #
$ %& " ' ()$
*
+
!
μ
!"#$
%
%
&'()*+)
,
" !
#$"!"!"
()*$$"&+
',)*$$
#$
-.!
#$
/
#$
''##$
"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQU2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD2N40 | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N100 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1000V N-Channel MOSFET |
| FQU2N100TU | 功能描述:MOSFET 1000V/1.6A/N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N100TULM781 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQU2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。