- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375892 > FQU2N60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 600V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FQU2N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 561K |
| 代理商： | FQU2N60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
9
±
0
6
±
0
2
±
0
9
±
0
6
±
0
2
±
0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQD2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQU2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
| FQD2N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V、漏電流為1.7A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU2N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQU2N60CTLTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N60TU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。