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參數資料
| 型號： | FQU2N60C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1.9 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 617K |
| 代理商： | FQU2N60C |
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Typical Characteristics
(Continued)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 2.87
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
D
= = 10 V
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10010 ms
DC
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
25
50
75
100
125
150
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD30N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQU30N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD30N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQU30N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQD3N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU2N60CTLTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N60TU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQU2N80TU | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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