| 型號： |
FQU2N60CTU |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： |
2/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK |
| 產品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 產品變化通告： |
Passivation Material Change 14/May/2008
|
| 標準包裝： |
70 |
| 系列： |
QFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
標準
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
600V
|
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： |
1.9A
|
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
4.7 歐姆 @ 950mA，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
12nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
235pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
2.5W
|
| 安裝類型： |
通孔
|
| 封裝/外殼： |
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
|
| 供應商設備封裝： |
I-Pak
|
| 包裝： |
管件
|