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參數資料
| 型號： | FQU2N90 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 900V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1.7 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 750K |
| 代理商： | FQU2N90 |
6.60
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0.20
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0.10
MAX0.96
2.30TYP
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0.20]
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9
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6
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5.34
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0.20
0.50
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0.10
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(0.50)
(4.34)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源電壓為900V、漏電流為1.7A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU2P25 | 250V P-Channel MOSFET |
| FQD2P25 | 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的P溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU2P40 | 400V P-Channel MOSFET |
| FQD2P40 | 400V P-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的P溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQU2N90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N90TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2N90TU_WS | 功能描述:MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU2P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQU2P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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